Se ha conseguido desarrollar una nueva técnica para crear láminas semiconductoras de alta calidad, tan delgadas que tienen un solo átomo de espesor.
Esta técnica puede ser utilizada para fabricar láminas de esa clase lo bastante extensas como para recubrir obleas de 5 centímetros o más grandes.
La nueva técnica podría ser usada para miniaturizar elementos tales como diodos emisores de luz (LEDs), chips de ordenador e incluso láseres, hasta alcanzar la escala atómica.
El equipo de Linyou Cao, de la Universidad Estatal de Carolina del Norte, Estados Unidos, trabajó con sulfuro de molibdeno, un material semiconductor barato con propiedades ópticas y electrónicas similares a las de materiales actualmente usados en la industria de los semiconductores.
Sin embargo, el sulfuro de molibdeno es diferente a los otros materiales semiconductores porque cuenta con una ventaja decisiva: Puede ser dispuesto en capas de un solo átomo de espesor sin comprometer sus propiedades.
Esta técnica puede ser utilizada para fabricar láminas de esa clase lo bastante extensas como para recubrir obleas de 5 centímetros o más grandes.
La nueva técnica podría ser usada para miniaturizar elementos tales como diodos emisores de luz (LEDs), chips de ordenador e incluso láseres, hasta alcanzar la escala atómica.
El equipo de Linyou Cao, de la Universidad Estatal de Carolina del Norte, Estados Unidos, trabajó con sulfuro de molibdeno, un material semiconductor barato con propiedades ópticas y electrónicas similares a las de materiales actualmente usados en la industria de los semiconductores.
Sin embargo, el sulfuro de molibdeno es diferente a los otros materiales semiconductores porque cuenta con una ventaja decisiva: Puede ser dispuesto en capas de un solo átomo de espesor sin comprometer sus propiedades.
La nueva técnica permite crear láminas semiconductoras de alta calidad con un grosor de solo un átomo. (Imagen: L. Cao, Y. Yu, C. Li y Y. Liu de la Universidad Estatal de Carolina del Norte, y L. Su y Y. Zhang de la Universidad de Carolina del Norte en Charlotte)
El equipo de Cao está actualmente tratando de encontrar modos de crear láminas delgadas similares en las que cada capa atómica esté formada por un material distinto.
Cao también está trabajando para crear transistores de Efecto Campo y LEDs utilizando esta nueva técnica.
Con Cao han trabajado asimismo Yifei Yu, Chun Li y Yi Liu de la Universidad Estatal de Carolina del Norte, así como Liqin Su y Yong Zhang de la Universidad de Carolina del Norte en Charlotte.
Via
El equipo de Cao está actualmente tratando de encontrar modos de crear láminas delgadas similares en las que cada capa atómica esté formada por un material distinto.
Cao también está trabajando para crear transistores de Efecto Campo y LEDs utilizando esta nueva técnica.
Con Cao han trabajado asimismo Yifei Yu, Chun Li y Yi Liu de la Universidad Estatal de Carolina del Norte, así como Liqin Su y Yong Zhang de la Universidad de Carolina del Norte en Charlotte.
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